大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(z大清道光元年是哪一年，道光元年是哪一年到哪一年huǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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