大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、过渡句在文章中起什么作用，过渡句在文中起什么作用,有什么好处美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi过渡句在文章中起什么作用，过渡句在文中起什么作用,有什么好处)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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