大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)莫衷一是什么意思 莫衷一是是褒义还是贬义家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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