大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市物尽其才人尽其用是什么意思，人尽其用打一生肖公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙物尽其才人尽其用是什么意思，人尽其用打一生肖已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演物尽其才人尽其用是什么意思，人尽其用打一生肖进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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