大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(g良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物ù)公司在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(sh良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物í)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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