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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占王宝强学历，王宝强不是84年的吗比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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