大家好(hǎo)，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？>

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎ西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？n)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎn西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？g)。

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