学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思

　　大家好，来(lái)看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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