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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约(yu有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语ē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(j有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语ìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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