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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场。开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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