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当兵的家暴几率大吗,当过兵的人会家暴吗

当兵的家暴几率大吗,当过兵的人会家暴吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

  美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患,对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风(fēng)险,影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此,网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全,是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求,欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网信网(wǎng)发文称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险,维护国家安全(quán),依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》,网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降,至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)当兵的家暴几率大吗,当过兵的人会家暴吗供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng),巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì),或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì),国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤,当兵的家暴几率大吗,当过兵的人会家暴吗同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为(wèi)75%。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单,设(shè)备国(guó)产化进程加速,看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公司份额提升,以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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