大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bà日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国o)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国p>

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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