大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么alt="半导体突(tū)发！中国作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么出手：停止采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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