大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审双曲线虚轴的位置，双曲线虚轴有什么意义查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求双曲线虚轴的位置，双曲线虚轴有什么意义，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大双曲线虚轴的位置，双曲线虚轴有什么意义存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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