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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星自旋量子数计算公式各符号含义，自旋量子数如何计算、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品自旋量子数计算公式各符号含义，自旋量子数如何计算strong>

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。