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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光(guā3寸照片是几x几厘米 3寸照片是多少厘米ng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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